HLNAND（TM）固態硬盤具有無可比擬的閃存單通道性能
Marketwire 2010年7月28日安大略省渥太華消息――
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MOSAID Technologies Inc.（TSX: MSD）今日發布了采用MOSAID創新的HyperLink NAND（HLNAND（TM））架構和接口的固態硬盤（SSD）原型。HLNAND固態硬盤原型由MOSAID及其開發合作伙伴INDILINX共同設計，適用于企業數據中心和高性能計算環境等大容量存儲應用。
MOSAID的HLNAND固態硬盤原型可在HLNAND閃存的單一通道實現213MBps的讀性能和130MBps的寫性能。相比之下，當前的二代固態硬盤需要八個或更多的通道才能獲得同樣的性能。
MOSAID研發副總裁Jin-Ki Kim表示：“HLNAND項目的目標是開發先進的解決方案，極大地改善商用產品中的閃存技術性能。通過采用HLNAND技術，我們的固態硬盤原型表現出無可比擬的閃存性能和靈活性。利用我們的解決方案，固態硬盤設計者可實現業界領先的單通道吞吐率，不會因存在密集的環（ring）而出現滾降（roll-off）。”
HLNAND閃存把MOSAID的HyperLink存儲技術與業界標準的NAND閃存單元技術相結合，是20年來首個重大的新閃存架構和設備接口開發項目。通過采用可實現極高信號完整性和極低負載的點對點環形拓補，HLNAND提供了比傳統閃存高一個數量級的持續輸入/輸出（I/O）帶寬。更多信息，請訪問網站：www.hlnand.com。
MOSAID將于8月17-19日在加利福尼亞州圣克拉拉舉行的2010閃存峰會的第416號展位展出HLNAND固態硬盤原型。屆時還將提供有關HLNAND技術下一階段發展的報告文件。
HLNAND固態硬盤原型－設計詳情
HLNAND固態硬盤是與Serial ATA2（SATA2）兼容的全功能原型，集成了基于現場可編程門陣列（FPGA）的控制器以及MOSAID的HLNAND模塊，采用3.5英寸硬盤尺寸。HLNAND固態硬盤原型為單一通道使用了兩個64GB HLDIMM模塊（每個模塊有八個多芯片封裝（MCP），共有16個多芯片封裝）。MOSAID提供HLDIMM模塊，INDILINX提供控制器和系統電路板。
原型設計限制要求將HyperLink通道時鐘頻率從133MHz降至75MHz。HLNAND固態硬盤的生產版本采用了支持八通道的基于FPGA或ASIC的控制器，可在133MHz全時鐘頻率下運行，讀寫吞吐率均超過1TB/s。
HLNAND固態硬盤適合高速、大容量應用，包括桌面工作站、計算和企業設備、輕型移動設備和游戲設備，或者用作移動硬盤。
供貨情況
半導體供應商、封裝和模塊供應商、產品制造商以及系統集成商可獲得批量生產MOSAID的HLNAND 64Gb NAND閃存器件和64GB HLDIMM模塊的許可。MOSAID的工程團隊可隨時向被許可方提供快速產品導入支持。
MOSAID最近宣布Scanimetrics Inc.在其定制產品解決方案中集成了HLNAND。
關于INDILINX
INDILINX是軟銀風投韓國公司支持下的領先的無晶圓廠半導體公司，專門針對零售、工業、軍事、企業和OEM市場開發高性能固態硬盤。自2006年成立以來，INDILINX一直被許多政府機構和行業集團評為“最佳技術公司”。公司在加利福尼亞州米爾皮塔斯經營業務，在韓國城南市設有研發中心。更多信息，請訪問網站：http://www.indilinx.com。
關于MOSAID
MOSAID Technologies Inc.是全球領先的知識產權公司之一。MOSAID專業從事半導體和電信系統領域專利知識產權的許可以及半導體存儲技術的開發。MOSAID的被許可方中有許多為全球最大技術公司。MOSAID成立于1975年，總部位于安大略省渥太華。更多信息，請訪問網站：www.mosaid.com和www.InvestorChannel.mosaid.com。
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